Η Samsung παρουσιάζει την σειρά SSD δίσκων 830, με μεγαλύτερη ταχύτητα και αξιοπιστία και design που εντυπωσιάζει.
Γρήγορες ταχύτητες
Ο Samsung SSD 830 έχει χωρητικότητα 64GB, υποστηρίζει τη σύνδεση SATA 3 η οποία υποστηρίζει ταχύτητες έως και 6Gbpsκαι προσφέρει ταχύτητες διαδοχικής ανάγνωσης έως και 520MB/sec και εγγραφής έως και 160MB/sec ενώ η τυχαία ανάγνωση φτάνει τα 75.000 IOPS.
Ο Samsung SSD 830 έχει χωρητικότητα 64GB, υποστηρίζει τη σύνδεση SATA 3 η οποία υποστηρίζει ταχύτητες έως και 6Gbpsκαι προσφέρει ταχύτητες διαδοχικής ανάγνωσης έως και 520MB/sec και εγγραφής έως και 160MB/sec ενώ η τυχαία ανάγνωση φτάνει τα 75.000 IOPS.
Design που ξεπερνά κάθε προσδοκία
Ο SSD 830 της Samsung είναι 2,5” με εξωτερικό μαύρο Brushed μεταλλικό περίβλημα που σίγουρα θα ξεχωρίσει. Με τις γρήγορες ταχύτητες και τον λεπτό σχεδιασμό με ύψος μόλις 7mm σίγουρα θα τον έχετε πάντα μαζί σας.
Ο SSD 830 της Samsung είναι 2,5” με εξωτερικό μαύρο Brushed μεταλλικό περίβλημα που σίγουρα θα ξεχωρίσει. Με τις γρήγορες ταχύτητες και τον λεπτό σχεδιασμό με ύψος μόλις 7mm σίγουρα θα τον έχετε πάντα μαζί σας.
Τα κρυφά χαρτιά της Samsung
Η κρυφή μνήμη DRAM DDR2 με χωρητικότητα 256ΜΒ θα διατηρήσουν σταθερή την απόδοση τυχαίας ανάγνωσης ακόμη και αν αυξηθεί ο όγκος των αποθηκευμένων δεδομένων.
Η κρυφή μνήμη DRAM DDR2 με χωρητικότητα 256ΜΒ θα διατηρήσουν σταθερή την απόδοση τυχαίας ανάγνωσης ακόμη και αν αυξηθεί ο όγκος των αποθηκευμένων δεδομένων.
Ελεγκτής MCX με 3 πυρήνες ARM9
Η Samsung έχει σχεδιάσει τους δικούς της τριπύρηνους ελεγκτές MCX που υπερέχουν στην εκτέλεση πολλαπλών εργασιών και προσφέρουν σταθερή απόδοση με την πάροδο του χρόνου.
Πιο συγκεκριμένα οι τρείς πυρήνες επεξεργασίας, βασίζονται στον ελεγκτή ARM9 και εκτελούν πολλαπλές εντολές ταυτόχρονα. Έτσι, ο ένας μπορεί να χρησιμοποιείται για την ανάγνωση δεδομένων, ο άλλος για την εγγραφή δεδομένων και ο τρίτος για βελτιστοποίηση.
Μνήμη NAND Flash με τεχνολογία Toggle DDRΗ Samsung έχει σχεδιάσει τους δικούς της τριπύρηνους ελεγκτές MCX που υπερέχουν στην εκτέλεση πολλαπλών εργασιών και προσφέρουν σταθερή απόδοση με την πάροδο του χρόνου.
Πιο συγκεκριμένα οι τρείς πυρήνες επεξεργασίας, βασίζονται στον ελεγκτή ARM9 και εκτελούν πολλαπλές εντολές ταυτόχρονα. Έτσι, ο ένας μπορεί να χρησιμοποιείται για την ανάγνωση δεδομένων, ο άλλος για την εγγραφή δεδομένων και ο τρίτος για βελτιστοποίηση.
Τα τσιπ 20 νανομέτρων της μνήμης NAND Flash με τεχνολογία Toggle DDR επιτρέπουν τη μεταφορά δεδομένων με ταχύτητα που φτάνει τα 133 megabit το δευτερόλεπτο (Mbps) ξεπερνώντας κατά πολύ εκείνη των συμβατικών τσιπ μνήμης SDR NAND Flash (66 Mbps).
Δεν υπάρχουν σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου